Memoria Ram Kingston 4GB 1600Mhz DDR3 NO ECC CL11 KINGSTON Detalles Especificaciones Técnicas - Actualizar a Activo/Actualizar Tiempo de comando (tRFCmin):260ns (min.) - Arquitectura:Non-ECC - Calibración interna (auto):Calibración automática interna a través del pin ZQ (RZQ: 240 ohmios ± 1%) - Capacidad:4 GB - CL(IDD):11 ciclos - Clasificación UL:35ns (min.) - Descripcion:ValueRAM de 512 M x 64 bits (4 GB) DDR3-1600 CL11 SDRAM (DRAM síncrona) 1Rx8, memoria módulo, basado en ocho componentes FBGA de 512M x 8 bits. Los SPD está programado para la latencia estándar JEDEC DDR3-1600 sincronización de 11-11-11 a 1.5V. Este DIMM de 240 pines usa oro dedos de contacto - Frecuencia:1600MHz - Fuente de alimentación estándar EDEC:1.5V - Garantia:De por vida - Latencia aditiva programable:0, CL - 2 o CL - 1 reloj - Latencia CAS programable:11, 10, 9, 8, 7, 6 - Longitud de ráfaga:8 (Intercalado sin límite, secuencial con inicio dirección “000” solamente), 4 con tCCD = 4 que no permite leer o escribir [ya sea sobre la marcha usando A12 o MRS] - Marca:KINGSTON - Modulo de memoria:DIMM - Otros:fCK de 800MHz para 1600Mb/seg/pin 8 banco interno independiente captación previa de 8 bits En la terminación de la matriz usando el pin ODT Restablecimiento asíncrono PCB: Altura 0,740” (18,75 mm) o 1,180” (30,00 mm) - RAM:DDR3 - Temperatura de almacenamiento:De -55°C hasta mas de 100°C - Temperatura de funcionamiento:De 0°C a mas de 85°C - Tiempo activo de fila (tRASmin):26.25ns(min.) - Tiempo de ciclo de fila (tRCmin):48.125ns (min.) - VDDQ:!.%V - Voltage:1.35V